时间：2025/4/30 17:28:37
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ESD9N12BA 是一款基于硅雪崩二极管技术的高效静电防护器件，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和瞬态电压尖峰的危害。该器件具有低电容特性，适合高速信号线和高频应用场合。它能够有效抑制高达±15kV 的接触放电和±15kV 的空气放电，并符合 IEC61000-4-2 国际标准。
ESD9N12BA 的设计使得其能够在不干扰系统信号完整性的情况下提供可靠的 ESD 保护功能。其封装形式紧凑，非常适合空间受限的设计环境。
工作电压：12V
最大箝位电压：23.7V
动态电阻：≤0.5Ω
电容：≤0.3pF
响应时间：≤1ns
峰值脉冲电流：5A
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的负载电容，确保在高速数据传输线路中不会引起信号失真。
2. 高度可靠的瞬态电压抑制能力，可承受多次重复的 ESD 脉冲冲击。
3. 小型化封装，便于集成到各类便携式或小型化电子产品中。设计，支持正负极双向瞬态电压抑制。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
ESD9N12BA 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域，如：
1. USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口的 ESD 保护。
2. 移动设备中的射频前端保护。
3. 工业自动化设备中的传感器输入保护。
4. 汽车电子系统的信号线保护。
5. 无线通信模块的天线端口防护。
ESD9N12BAT3G, PESD12CANB
