时间：2025/5/31 1:16:20
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SRT30L80DC 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计适用于需要高效功率转换和开关的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理模块等。该器件的额定电压为 80V，能够承受较高的漏源电压，同时具备优秀的电流处理能力。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
连续漏极电流：307A
总功耗：264W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TOLL
SRT30L80DC 的主要特点是低导通电阻，仅为 1.5mΩ（典型值），这显著降低了功率损耗并提高了效率。此外，该器件具有快速开关性能，支持高频应用，并且其优化的热阻确保了在高功率条件下的可靠运行。
该 MOSFET 的栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗，同时其反向恢复电荷也很小，进一步提升了整体效率。其坚固的设计使其能够在恶劣环境中稳定工作，包括高温或高电流场景。另外，SRT30L80DC 支持自动焊接回流工艺，简化了制造流程。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子设备中，如：
1. 高效 DC-DC 转换器和降压电路
2. 工业电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器中的功率级开关
4. 电动车辆的牵引逆变器
5. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
6. 通信电源和服务器电源模块
SRT30L80DC 的高性能特点使其成为上述领域中关键功率元件的理想选择。
SRT36L80DC, SRT40L80DC
