类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大漏极电流(ID)：110A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：≤5.5mΩ（在VGS=10V）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V~4V
　　最大功耗(PD)：200W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

XN111H具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，提升了电流密度和耐压能力，从而在高功率应用中表现出色。XN111H的封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　在可靠性方面，XN111H具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下长时间工作而不发生性能衰减。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，兼容常见的10V和12V驱动电源。XN111H还具备良好的抗静电能力（ESD），在装配和使用过程中不易损坏。
　　在开关特性方面，XN111H具有快速的导通和关断时间，能够适应高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提高系统的整体效率。该器件适用于同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制等高要求的电力电子应用场合。

XN111H广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、逆变器、马达驱动器以及电池管理系统等。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能、高功率密度设计中表现优异。此外，该MOSFET也可用于工业自动化控制系统、电动汽车充电模块以及储能系统中的功率开关应用。

IRF1404、SiR110DP、TKA110E、FDMS86180