MBR20100CT-TU是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),采用双共阴极配置,适用于高效率电源整流应用。这款器件具有低正向压降和快速开关特性,广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和续流二极管电路中。
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大平均整流电流(IF(AV)):20A
正向压降(VF):0.73V(典型值,@ IF = 10A)
峰值浪涌电流(IFSM):300A
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220AB,双共阴极结构
MBR20100CT-TU采用了肖特基势垒技术,显著降低了正向压降,从而提高了整流效率并减少了功率损耗。该器件的双共阴极封装结构使其非常适合用于全波整流或双路输出整流电路。
其最大重复峰值反向电压为100V,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源拓扑结构。最大平均整流电流为20A,支持大电流工作环境,确保在高负载条件下稳定运行。此外,该器件具有高达300A的峰值浪涌电流能力,可有效应对启动或短时过载情况下的电流冲击。
MBR20100CT-TU的工作温度范围为-55°C至+175°C,表现出良好的热稳定性,适用于工业级和汽车级应用环境。其TO-220AB封装具备良好的散热性能,有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
该整流器无需外部散热片即可在正常工作条件下运行,但在高功率密度设计中建议使用散热管理措施。MBR20100CT-TU广泛用于通信电源、服务器电源、不间断电源(UPS)、电机驱动和光伏逆变系统等应用中。
该器件主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、光伏逆变系统以及高效率整流电路。由于其低正向压降和高电流能力,特别适用于需要高能效和高可靠性的电源系统。
MBR20100CT, MBR20H100CN, STPS20H100CG, VS-20CTQ100FN