类型：隧道磁阻（TMR）传感器
　　供电电压：1.8 V 至 5.5 V
　　输出类型：模拟电压输出
　　灵敏度：典型值为 30 mV/V/Oe
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　磁滞：约 1 Oe
　　响应频率带宽：DC 至 1 MHz 以上
　　封装形式：DFN-6（超小型无引脚封装）
　　方向检测：单轴（垂直于封装平面）
　　偏移电压：最大 ±50 mV/V
　　非线性度：小于 ±1% FS
　　长期稳定性：优异，无性能退化迹象
　　抗机械应力影响：强，得益于晶圆级封装工艺

XMR-02V的核心特性之一是其基于隧道磁阻（TMR）效应的超高灵敏度和信噪比。相比传统的霍尔效应或各向异性磁阻（AMR）传感器，TMR技术提供了更高的电阻变化率和更优的功耗表现。这使得XMR-02V在弱磁场检测中表现出色，即使在极低磁场强度下也能实现精准测量。该芯片内部结构由两个反平行排列的TMR桥臂组成，形成全桥配置，从而增强了对外部磁场的响应能力，并有效抑制了温度漂移和共模干扰。
　　另一个关键优势是其宽电压工作范围（1.8V至5.5V），使其兼容多种电源系统，包括电池供电设备和工业标准5V逻辑系统。这种灵活性大大扩展了其在不同应用场景中的适用性。同时，XMR-02V的工作温度范围达到-40°C至+150°C，满足汽车级和工业级环境要求，确保在极端温度条件下的可靠运行。
　　该器件采用DFN-6小型封装，不仅节省PCB空间，而且通过优化布局减少寄生效应，提高高频响应能力。其模拟输出模式无需复杂的数字通信协议，可直接连接ADC进行信号采集，简化系统架构。此外，XMR-02V具备出色的线性度（<±1%FS）和低磁滞特性（约1Oe），保证了长时间使用的测量一致性。集成的信号调理电路进一步提升了输出稳定性，避免了外部分立元件带来的误差源。
　　值得一提的是，XMR-02V对机械应力不敏感，这是由于其采用了晶圆级封装（WLP）技术和先进的应力隔离设计，显著降低了封装过程中引入的应力对磁性能的影响。这一特性对于贴装后性能一致性至关重要，尤其是在回流焊工艺之后仍能保持初始校准精度。综合来看，XMR-02V是一款高性能、高可靠性且易于集成的磁传感器解决方案，适用于对精度和稳定性有严苛要求的应用场景。

XMR-02V广泛应用于多个领域，尤其适合需要高精度磁场检测的场合。在工业自动化中，它常用于旋转编码器、线性位置传感器和接近开关，用于检测电机转子位置或机械部件位移，实现闭环控制。其高带宽特性也使其可用于高速旋转设备中的转速监测，如风扇、泵和伺服电机。
　　在汽车电子方面，XMR-02V可用于油门踏板位置检测、刹车踏板传感、变速箱档位识别以及电动助力转向（EPS）系统中的扭矩感应。由于其具备AEC-Q100认证潜力和高温耐受能力，符合车规级应用的安全与可靠性标准。
　　在消费类电子产品中，XMR-02V可用于智能手表、手机和笔记本电脑中的翻盖检测、电子罗盘辅助校准以及无线充电对齐指示。其低功耗特性有助于延长便携式设备的电池寿命。
　　此外，在电流传感应用中，XMR-02V可通过检测导体周围磁场来间接测量电流大小，适用于过流保护、电源管理单元和储能系统中的实时监控。配合磁芯结构，可实现非接触式、隔离型电流检测方案，提升系统安全性。
　　医疗设备领域也有潜在应用，例如用于呼吸机流量监测、输液泵电机控制和便携式诊断仪器中的运动反馈机制。总体而言，XMR-02V凭借其高灵敏度、小尺寸和宽温域适应能力，成为现代精密传感系统中的理想选择。

CT1001
　　CT1002
　　XMR-01V