XG5M-20 时间：2025/12/27 2:47:11 阅读：12

XG5M-20是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的损害。该器件采用紧凑的多芯片封装技术，集成了多个高性能TVS二极管，能够为高速数据线路或I/O端口提供可靠的双向过压保护。XG5M-20特别适用于需要高可靠性防护和低电容特性的应用场景，例如通信接口、消费类电子产品及工业控制系统中。
　　XG5M-20的设计符合RoHS环保标准，并具备优良的热稳定性和长期工作耐久性。其封装形式通常为小型化的SOD-523或类似尺寸，便于在空间受限的PCB布局中使用。此外，该器件具有极快的响应时间，在纳秒级别内即可将瞬态高压钳位于安全水平，从而有效防止下游电路元件因过压而损坏。由于其低动态电阻和高浪涌吸收能力，XG5M-20能够在多次瞬态冲击下保持性能稳定，是现代电子系统中理想的前端保护解决方案之一。

参数

型号：XG5M-20
　　制造商：Littelfuse
　　通道数：5
　　工作电压（VRWM）：20V
　　反向击穿电压（VBR）：22.8V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：1.5A
　　钳位电压（VC）：36V @ IPP
　　寄生电容（Cj）：典型值2pF
　　极性：双向
　　封装类型：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散（PPPM）：300W（8/20μs波形）

特性

XG5M-20的核心特性之一在于其低电容设计，典型值仅为2pF，这使得它非常适合用于高速信号线路的保护，如USB、HDMI、SD卡接口、以太网端口以及其他高频数据传输通道。在这些应用中，过高的寄生电容会导致信号失真、上升/下降时间延迟以及整体通信质量下降，而XG5M-20凭借其极低的电容表现，几乎不会对原始信号完整性造成影响，确保了系统的高速稳定运行。此外，该器件采用双向结构设计，意味着它可以有效地应对正负方向的瞬态电压冲击，适用于交流耦合或双极性信号路径中的保护需求。这种双向保护机制使其在面对复杂的电磁干扰环境时更具适应性。
　　另一个关键特性是其出色的瞬态响应能力和高能量吸收水平。XG5M-20能够在极短时间内（通常小于1纳秒）响应并导通，迅速将瞬态过电压钳制在安全范围内，避免敏感IC受到损伤。其最大峰值脉冲电流可达1.5A，对应300W的峰值脉冲功率处理能力（基于8/20μs测试波形），足以应对大多数常见的ESD事件（如IEC 61000-4-2 Level 4 ±8kV接触放电）和轻度雷击感应浪涌。同时，器件具备良好的热稳定性与老化性能，即使在频繁遭受瞬态冲击的情况下也能维持一致的电气特性，延长系统使用寿命。
　　从封装角度来看，XG5M-20采用SOD-523这一小型化表面贴装封装，占用PCB面积小，适合高密度布局设计。该封装还具备良好的散热性能和机械强度，有助于提升整机的可靠性和制造良率。此外，产品符合AEC-Q101车规级认证要求，表明其在温度循环、湿度、振动等严苛环境下仍能保持稳定工作，因此不仅可用于消费电子，还可拓展至汽车电子、工业自动化等对可靠性要求更高的领域。最后，XG5M-20满足RoHS指令和无卤素要求，体现了绿色环保设计理念，适应全球日益严格的环保法规趋势。

应用

XG5M-20广泛应用于各类需要静电和瞬态电压保护的电子设备中，尤其适用于高速数据接口的防护场景。常见应用包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-A/C接口、音频插孔、SIM卡槽和显示屏连接器等，这些部位极易暴露于人体接触带来的静电放电风险，XG5M-20可为其提供高效且不影响信号质量的保护方案。此外，在有线通信系统中，如以太网PHY接口、RS-485、CAN总线等工业通信链路，也常采用XG5M-20来抵御来自电缆引入的EFT或感应雷击脉冲，保障通信链路的稳定性与连续性。
　　在汽车电子领域，随着车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及车联网（V2X）技术的发展，车内电子模块之间的高速数据交互日益频繁，相应的接口保护需求也随之增长。XG5M-20因其具备车规级可靠性（通过AEC-Q101验证），被广泛用于车载USB充电端口、摄像头模组、雷达传感器接口和诊断OBD-II端口等位置，确保车辆在复杂电磁环境中仍能安全运行。此外，该器件也可用于工业控制设备中的数字I/O端口、PLC输入输出模块、人机界面（HMI）触摸屏连接器等关键节点，防止工厂环境中常见的开关瞬变、继电器反弹或电源扰动对控制系统造成误动作或硬件损坏。总之，凡是存在低电压、高灵敏度且易受外部瞬态干扰影响的电路节点，XG5M-20都是一种理想的选择。