时间：2025/6/11 14:38:25
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251R15S100GV4E是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下保持稳定的性能。
型号：251R15S100GV4E
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：15V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.5mΩ
总栅极电荷：36nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
251R15S100GV4E具备非常低的导通电阻（仅1.5mΩ），从而显著降低导通损耗并提升系统效率。同时，其高电流承载能力（高达100A）使其非常适合大功率应用。
此外，这款MOSFET还拥有较低的栅极电荷和输出电容，确保了在高频开关环境下的卓越表现。其优化的热性能设计也增强了长时间工作的可靠性。
该芯片适用于需要高效能量转换和严格温控要求的应用场景，例如工业设备、电动汽车中的牵引逆变器以及高端消费电子产品的电源管理单元。
251R15S100GV4E主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电动机驱动电路
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化控制
6. 高端音频放大器
由于其强大的电气特性和散热能力，它也非常适合在高温环境下运行的关键任务系统中使用。
IRF2510ZPBF, FDP158N15AE, CSD19536KCS
