产品系列：XFL2006
　　阻抗频率：100MHz
　　标称阻抗：3300Ω
　　直流电阻（DCR）：典型值0.38Ω
　　额定电流：200mA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　封装尺寸：2.0mm x 1.6mm x 1.0mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡镀层
　　阻抗公差：±20%
　　磁芯材料：铁氧体
　　谐振频率：约200MHz（典型）

XFL2006-332MEC 具备优异的高频噪声抑制能力，其核心优势在于在100MHz下实现高达3300Ω的阻抗值，能够有效抑制开关电源、数字逻辑电路以及高速数据线路中产生的射频干扰（RFI）和电磁噪声。该器件采用绕线铁氧体结构，相比普通叠层片式磁珠，具有更高的Q值和更稳定的阻抗-频率响应曲线，在宽频范围内展现出平坦且高效的滤波性能。其低直流电阻（典型0.38Ω）确保了在通过工作电流时功耗极小，不会对系统供电效率造成明显影响，同时避免了因发热导致的可靠性下降问题。
　　该磁珠具备良好的直流偏置特性，即使在接近额定电流（200mA）的工作条件下，其阻抗性能仍能维持较高水平，保证滤波效果不随负载变化而显著退化。这一特性使其特别适用于负载电流波动较大的电源路径，如为FPGA、ASIC、微处理器等高性能芯片供电的稳压模块输出端。此外，XFL2006-332MEC拥有出色的温度稳定性，材料选用高温耐受性强的铁氧体磁芯，可在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定运行，满足工业级和汽车级应用需求。
　　机械结构方面，该器件采用紧凑型2016封装（2.0mm x 1.6mm），适合高密度表面贴装设计，并与标准回流焊工艺完全兼容。端子采用镍/锡镀层，确保良好的可焊性和长期连接可靠性。其无铅设计符合RoHS环保标准，支持绿色制造流程。由于其非饱和磁芯结构，XFL2006-332MEC在瞬态电流冲击下不易发生磁饱和，从而维持稳定的滤波功能，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现，在传导和辐射发射测试中表现优异。

XFL2006-332MEC 主要用于需要高效EMI滤波的高性能电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源轨滤波，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的DC-DC转换器输出端，用于消除开关噪声对敏感模拟电路（如音频放大器、摄像头传感器、GPS接收模块）的影响。在通信设备领域，该磁珠常被部署于高速数据线路（如USB、HDMI、MIPI）的供电路径中，以防止高频噪声耦合进信号通道，提升信号完整性。
　　在工业控制系统中，XFL2006-332MEC可用于PLC、工业HMI、电机驱动器等设备的电源管理单元，抑制来自变频器或继电器动作引起的共模和差模干扰。在汽车电子系统中，该器件适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、ECU供电网络等场景，帮助通过CISPR 25等严格的车载EMC认证标准。此外，在医疗电子设备中，特别是在便携式监护仪和成像系统中，该磁珠有助于保障关键信号链路的纯净度，防止噪声引发误判或图像失真。其高阻抗特性也使其适用于时钟线路、RF前端模块的偏置电源滤波，有效隔离本振泄漏和杂散发射。

XFL2006-332MER

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　　 "https://www.vishay.com/docs/38053/xfl2006.pdf"
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