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XFGM-6050KPGSR 发布时间 时间:2025/8/28 10:59:50 查看 阅读:9

XFGM-6050KPGSR 是一款由 X-FAB 提供的模拟/混合信号集成电路,专为高性能模拟和射频(RF)应用设计。该器件基于先进的高压工艺技术,具备良好的线性度和低噪声特性,适用于通信系统、工业控制和汽车电子等多个领域。

参数

工艺类型:高压CMOS工艺
  工作电压:最高可达60V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:PowerGrid? 封装
  最大漏极电流:500mA
  典型应用频率:1MHz 至 100MHz
  输入偏置电流:10nA(典型值)
  增益带宽积:10MHz(典型值)

特性

XFGM-6050KPGSR 采用 X-FAB 的 PowerGrid? 封装技术,具有出色的热管理和高功率密度特性,能够有效降低芯片的温度上升,提高系统的长期稳定性。该器件的高压CMOS工艺使其在高电压环境下依然保持良好的性能表现,适合用于需要高压工作的模拟和射频电路。
  此外,XFGM-6050KPGSR 的线性度和低噪声设计使其在信号放大和滤波应用中表现出色,能够提供高保真的信号处理能力。其宽温度范围(-40°C 至 +150°C)确保了在极端环境下的可靠性,适用于工业和汽车应用。
  该芯片的封装形式优化了电流传输能力,降低了寄生电感和电阻的影响,从而提升了高频响应和功率效率。XFGM-6050KPGSR 还具备良好的 ESD(静电放电)保护能力,增强了器件在复杂电磁环境中的抗干扰性能。

应用

XFGM-6050KPGSR 主要应用于需要高压、高线性度和低噪声特性的模拟和射频电路中。例如,它可作为功率放大器、电压调节器、滤波器以及高频信号处理模块中的关键组件。此外,该器件还适用于工业自动化控制系统、汽车电子中的传感器接口电路、通信基础设施设备以及高精度模拟信号调理系统。

替代型号

XFGM-6050KPGS, XFGM-6050KPGSR2, XFGM-6050KPGT

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