时间：2025/7/30 14:36:18
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XF2480F-CG是一款由X-FAB生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率管理领域。这款MOSFET设计用于在高电压和大电流条件下提供卓越的性能，适用于如电源转换、马达控制和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：最大800V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
XF2480F-CG具备低导通电阻的特点，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。该MOSFET还具有较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持良好的性能。此外，其宽广的工作温度范围使其适用于各种严苛条件下的应用。该器件的高栅极电荷特性有助于减少开关损耗，并提升其在高频开关应用中的表现。
为了确保长期使用的可靠性，XF2480F-CG在设计上考虑了多种保护机制，例如过热保护和短路保护。这种MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定工作。其坚固的封装结构提供了优异的机械强度和热传导性能，确保了器件在高负载条件下的可靠性。
XF2480F-CG主要用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、马达驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也常用于电动汽车的电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等应用中。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET非常适合用于需要高效率和长寿命的电子系统。
IXFN10N80, STF8NM80, FQA10N80
