BS108是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和功率控制电路中。该器件采用TO-220封装,具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点,适合用于高效率功率转换系统。BS108的结构设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极连续电流(Id):8A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):最大1.5Ω(在Vgs=10V时)
功率耗散(Ptot):83W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
BS108 MOSFET具有多项优异特性,适用于各种高功率应用。首先,其高漏源击穿电压(600V)使其适用于高电压功率转换器,如AC/DC电源适配器和光伏逆变器。其次,该器件的最大漏极电流为8A,在适当的散热条件下可支持较高的负载能力。此外,BS108的导通电阻较低,通常在Vgs=10V时小于1.5Ω,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
BS108采用TO-220封装,具有良好的热稳定性和机械强度,便于安装在散热片上以提高散热性能。该封装形式也广泛用于工业电源设备中,便于替换和维护。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,允许使用常见的10V至15V驱动电压,使其兼容多种栅极驱动IC。此外,BS108具备较快的开关速度,适用于高频开关应用,从而减小了外部滤波元件的尺寸并提高了整体系统效率。
由于其良好的耐压性能和电流承载能力,BS108在电源管理和功率电子领域中被广泛采用。其设计使其在高温环境下仍能保持稳定工作,具有较长的使用寿命。
BS108广泛应用于多种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、直流-直流转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及LED照明驱动电路。其高耐压特性使其适用于交流输入电压较高的应用,如220V AC至直流电压转换器。在电机控制应用中,BS108可用于H桥电路,实现电机的正反转控制。此外,该器件也常用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
IRF840, FQA8N60, STP8NK60Z, 2SK2647