XCA170STR 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源管理应用设计。这款晶体管采用了先进的STripFET?技术,提供了卓越的导通电阻和开关性能,适用于需要高可靠性和高效能的电子系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大连续漏极电流(Id):170A
导通电阻(Rds(on)):约1.7mΩ(典型值,取决于Vgs)
栅极电荷(Qg):约120nC(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
XCA170STR MOSFET具备多项显著特性,使其在众多电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有高电流承载能力,能够支持高达170A的连续漏极电流,适合高功率应用。STripFET?技术的应用不仅优化了器件的导通和开关性能,还提升了其热稳定性和可靠性。该MOSFET的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,从而进一步提高效率。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)确保了在各种环境条件下的稳定运行。此外,XCA170STR还具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下提供更高的系统安全性。这些特性使得该器件成为高性能电源转换和管理应用的理想选择。
另一个重要特性是其封装设计,XCA170STR采用PowerFLAT? 5x6封装,具有优异的热管理和空间利用率。这种封装形式不仅有助于快速散热,还能在PCB上节省宝贵的布局空间。此外,该封装具备良好的机械强度和电气隔离性能,确保了器件在恶劣环境下的长期可靠性。对于需要高密度设计的现代电子系统而言,XCA170STR的紧凑封装和高效能特性无疑提供了极大的设计灵活性和性能保障。
XCA170STR MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在汽车电子领域,它常用于车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统中,以提供高效、可靠的功率控制解决方案。在工业自动化设备中,XCA170STR可用于电机驱动和电源转换模块,确保设备的高效运行和稳定性。此外,在高功率DC-DC转换器中,该MOSFET能够有效降低导通和开关损耗,从而提升整体系统效率。
IPB170N10N3 G、IRFB4110PBF、SiR170DP