时间：2025/9/4 2:00:51
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XC68307PU16是Xicor公司生产的一款CMOS非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了SRAM的高速特性和非易失性存储技术，能够在断电情况下保留存储数据，无需外部电池支持。XC68307PU16采用标准的并行接口，适用于需要高速访问和数据持久性的应用场景。
容量：8K x 8位
电源电压：4.5V至5.5V
访问时间：120ns（最大）
封装类型：28引脚PDIP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行异步接口
读写周期时间：200ns（最小）
数据保存时间：超过10年（断电状态下）
XC68307PU16具备自动非易失性存储功能，采用Xicor的专利NV技术，在断电时可将SRAM数据自动存储到非易失性存储单元中。该芯片还支持无限次的读写操作，不会像EEPROM或Flash那样存在擦写次数限制。此外，XC68307PU16具有高速读写能力，访问时间仅为120ns，适合需要快速响应的系统应用。其非易失性特性使其在断电后仍能保持关键数据，避免数据丢失，适用于工业控制、通信设备、智能仪表、医疗设备等对数据可靠性要求较高的场景。XC68307PU16的操作简单，无需复杂的控制逻辑，可以直接替代标准SRAM使用，同时提供数据持久性保障。其封装形式为28引脚PDIP，便于在多种电路板设计中使用。
XC68307PU16广泛应用于需要非易失性存储和高速访问的嵌入式系统中，如工业控制器、网络设备、电信基础设施、测试测量仪器、自动化系统和数据采集设备等。由于其在断电后仍能保持数据不变，因此非常适合用于存储系统配置、运行参数、日志记录或关键状态信息。例如，在工业PLC系统中，XC68307PU16可用于存储程序参数和设备状态；在通信设备中，可用于缓存临时配置和运行数据；在智能电表和医疗设备中，可用于记录历史数据和设备设置。此外，XC68307PU16还可用于需要频繁写入数据而不希望使用传统EEPROM或Flash的场合，例如实时数据记录和缓存存储。
DS1245Y-100、CY14B108V1A-SOC、X28C64B-25I、FM28V020
