时间：2025/8/25 4:40:09
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RFP47N10 是一款由 Infineon Technologies 生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高效率和高可靠性的电源应用而设计，例如电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及汽车电子系统。RFP47N10 采用 TO-220 封装，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：47A
漏极-源极电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 43 mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-220
RFP47N10 具备多项优良特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作时的最小功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件能够承受高达 100V 的漏极-源极电压，适用于中高压电源转换系统。此外，RFP47N10 的最大漏极电流为 47A，适用于需要高电流输出的电机驱动和电源供应器应用。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高达 175°C 的结温下正常工作，增强了其在严苛环境下的可靠性。TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，并便于安装在标准的 PCB 板上。RFP47N10 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和能效。这使其特别适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
另外，该器件具有良好的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬时过压和过流情况，提高了系统的耐用性和安全性。这在汽车电子和工业控制等对可靠性要求极高的场合尤为重要。
RFP47N10 由于其高电流和高耐压特性，广泛应用于多个领域的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器以及汽车电子控制系统。在汽车领域，该器件可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电系统、车身控制模块以及电动车辆的电力管理系统。
在工业应用中，RFP47N10 常用于电机控制和工业自动化设备中的功率开关，提供高效的电能转换与控制。此外，它也适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等绿色能源系统，确保高效的能量转换和稳定的输出性能。
在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于高性能电源适配器和 LED 照明驱动电路，帮助实现更高的能效和更小的体积设计。由于其出色的热性能和可靠性，RFP47N10 也是许多高要求应用的理想选择。
IRF47N10, FDP47N10, STP47N10
