KDZVTR2.0B 时间：2025/12/25 12:48:06 阅读：10

KDZVTR2.0B是一种表面贴装的小信号肖特基二极管，由罗姆（ROHM）公司生产。该器件主要用于电压箝位、静电放电（ESD）保护以及高速开关应用。它采用SOD-323小型封装，适合高密度PCB布局和便携式电子设备中的空间受限设计。KDZVTR2.0B的标称齐纳电压为2.0V，具有较低的动态电阻和快速响应特性，能够有效吸收瞬态过电压并保护下游电路元件。该器件在消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备和工业控制系统中广泛应用。其结构基于先进的平面工艺技术制造，确保了稳定的电气性能和长期可靠性。此外，KDZVTR2.0B符合无铅（Pb-free）和RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其低功耗特性和优异的热稳定性，该器件能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。

参数

型号：KDZVTR2.0B
　　制造商：ROHM
　　封装类型：SOD-323
　　极性：单向
　　标称齐纳电压 (Vz)：2.0V
　　测试电流 (Iz)：5mA
　　最大齐纳阻抗 (Zz)：90Ω
　　最大反向漏电流 (Ir)：1μA @ 1V
　　功率耗散 (Pd)：200mW
　　工作结温范围 (Tj)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：2
　　安装类型：表面贴装（SMT）

特性

KDZVTR2.0B具备优异的电压调节能力和快速响应速度，是专为低电压保护电路设计的精密齐纳二极管。其核心优势在于低且稳定的齐纳电压，标称为2.0V，在5mA的标准测试电流下表现出良好的电压稳定性，适用于现代低电压逻辑电路的参考或箝位应用。该器件采用肖特基势垒结构结合优化的掺杂工艺，实现了极低的动态阻抗（最大90Ω），这使得在负载变化时仍能维持稳定的输出电压，显著提升系统的抗干扰能力。同时，其反向漏电流极低，在1V反向偏压下不超过1μA，有助于降低待机功耗，特别适合电池供电设备如智能手机、可穿戴装置和物联网传感器节点。
　　KDZVTR2.0B的SOD-323封装具有小尺寸（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm）和轻重量的特点，支持自动化贴片生产，提高了组装效率与良率。该封装还具备良好的散热性能，可在200mW功率下稳定运行，并能在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适应严苛环境下的应用需求。器件通过AEC-Q101认证（若适用），具备高可靠性和耐久性，能够承受多次热循环和机械应力。此外，产品符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，满足全球环保法规要求，适用于出口型电子产品。
　　在实际应用中，KDZVTR2.0B常用于I/O端口保护、ADC参考电压源、电平转换电路中的偏置设置以及噪声滤波网络。其快速开启时间和低电容特性（典型值约几十皮法）使其可用于高频信号路径中进行瞬态抑制而不影响信号完整性。相比传统双极型齐纳二极管，它具有更低的噪声和更优的温度系数，提升了模拟电路的精度。总体而言，KDZVTR2.0B是一款高性能、紧凑型的电压基准与保护元件，广泛服务于便携式电子、通信模块和嵌入式控制领域。

应用

广泛应用于便携式消费电子产品中的ESD保护和电压箝位，例如智能手机、平板电脑、数码相机和音频设备；用于接口电路如USB、HDMI、SD卡插槽等的瞬态电压抑制；作为低电压逻辑电路（如3.3V或1.8V系统）中的参考电压源或偏置电路元件；适用于传感器信号调理模块、ADC/DAC参考稳压、微控制器I/O保护；在工业控制设备、汽车电子外围电路及通信基站模块中提供可靠的过压防护解决方案。