类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流反向电压（VR）：30 V
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500 mA
　　最大正向电压（VF）：0.35 V @ 10 mA, 0.52 V @ 100 mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 μA @ 25°C, 10 V
　　反向恢复时间（trr）：< 1 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：DFN-2 (2.5 mm x 1.5 mm)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：350 K/W
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，无限时间）

XBS104S13R-G的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降，提升整流效率并减少功耗。在10 mA电流下，其典型正向压降仅为0.35 V，远低于标准硅二极管的0.7 V，这使得它在低电压、低功耗系统中表现尤为出色，例如电池供电设备或能量采集系统中，能够有效延长电池寿命。由于没有少数载流子的积累效应，肖特基二极管几乎不存在反向恢复电荷，因此其反向恢复时间小于1纳秒，适合用于高频开关电路，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和射频检波电路，避免了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题。
　　该器件采用DFN-2小型封装，尺寸仅为2.5 mm × 1.5 mm × 0.95 mm，具有优异的热传导性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局。底部散热焊盘可有效将热量传递至PCB地层，提升功率处理能力。其低寄生电感和电容特性进一步增强了高频响应能力，适合高速数字信号线路中的瞬态抑制和电平钳位应用。此外，XBS104S13R-G具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流和稳定的电气性能，确保系统在恶劣工况下的可靠性。
　　Vishay在制造过程中采用严格的品质控制流程，确保产品的一致性和长期可靠性。该器件通过AEC-Q101汽车级认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块。同时，其无铅、无卤素设计符合现代环保法规要求，支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线，便于大规模自动化装配。总体而言，XBS104S13R-G是一款集高效、小型化与高可靠性于一体的高性能双肖特基二极管，适用于对空间和能效有严格要求的应用场景。

XBS104S13R-G广泛应用于各类需要高效、快速响应的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池充电路径中的防反接保护、电源轨间的电压隔离以及USB接口的瞬态电压抑制。在电源管理系统中，它可作为低压差线性稳压器（LDO）输出端的反向电流阻断二极管，防止负载倒灌损坏主控芯片。在DC-DC转换器中，特别是同步整流拓扑之外的辅助整流环节，该器件凭借其低正向压降减少能量损耗，提高整体转换效率。
　　在通信与信号处理领域，XBS104S13R-G适用于高频信号检波、包络检测和小信号整流，常见于无线传感器网络、RFID读写器和低功耗蓝牙模块中。其快速响应能力使其能够准确捕捉高频调制信号，提升接收灵敏度。此外，在数字逻辑电路中，该二极管可用于I/O端口的电平移位和静电放电（ESD）保护，限制输入电压超出电源轨范围，防止CMOS器件受损。
　　工业控制和汽车电子也是其重要应用方向。例如，在PLC输入模块中用于信号调理，在电机驱动电路中实现续流保护，或在CAN/LIN总线节点中提供线路钳位功能。由于其宽温度工作范围和高可靠性，XBS104S13R-G也适用于环境条件苛刻的户外设备或工业自动化系统。此外，还可用于LED驱动电路中的防倒灌二极管，确保多路LED之间的独立控制。总之，该器件因其多功能性和高性能，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAS40-04W, PMEG2010EA, PMEG2010ER, SK14, RB520S30, SS12