工作频率范围：26 GHz 至 32 GHz
　　增益典型值：18 dB
　　噪声系数典型值：2.1 dB
　　输入反射系数（S11）：-10 dB @ 28 GHz
　　输出反射系数（S22）：-9 dB @ 28 GHz
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+12 dBm
　　工作电压范围：2.7 V 至 3.6 V
　　静态电流：45 mA 典型值
　　P1dB 输出功率：+8 dBm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：6引脚陶瓷/塑料复合QFN

XARR-03VF 在高频毫米波应用中展现出卓越的技术优势，其核心特性之一是基于 GaAs pHEMT 工艺实现的低噪声系数与高增益平衡。该芯片在26 GHz至32 GHz频段内可实现平均18 dB的小信号增益，同时保持低于2.2 dB的噪声系数，这使其成为高灵敏度接收机前端的理想选择。尤其在5G NR n257（26.5–29.5 GHz）和n258（24.25–27.5 GHz）频段的应用中，XARR-03VF 能有效提升链路预算，增强信号接收能力。该器件的输入和输出端口已内置优化的阻抗匹配网络，显著减少了外部匹配元件的数量，从而节省PCB面积并降低调试复杂度。
　　另一个关键特性是其出色的线性性能。XARR-03VF 的输出三阶交调截点（OIP3）可达+12 dBm，表明其在处理多载波或高动态范围信号时具有较强的抗互调失真能力，有助于维持通信质量，特别是在高密度部署环境中。此外，P1dB压缩点达到+8 dBm，意味着该放大器能够在不进入饱和状态的情况下处理相对较高的输入功率，提升了系统的鲁棒性。
　　该芯片还具备良好的直流效率与稳定性。在3.3 V供电下，静态电流仅为45 mA，相较于同类毫米波LNA产品具有较低的功耗表现，适合长时间运行或能源受限的应用场景。其内部集成的偏置电路支持稳定的栅极电压设置，并可通过外部电阻调节工作点，以适应不同性能需求。热设计方面，采用导热性能优良的QFN封装，确保热量高效传导至PCB，避免局部过热影响可靠性。
　　XARR-03VF 具备宽泛的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于户外基站、车载雷达及航空航天等领域。制造工艺遵循高良率标准，保证批次一致性，便于大规模生产中的品质控制。整体而言，XARR-03VF 凭借其高频性能、低噪声、高集成度和环境适应性，成为现代毫米波系统中不可或缺的关键元器件。

XARR-03VF 主要应用于高频段无线通信与传感系统中，典型使用场景包括5G毫米波基站接收前端、固定无线接入（FWA）终端、高带宽点对点微波回传链路以及车载毫米波雷达接收通道。在5G网络建设中，该芯片可用于增强26 GHz至29 GHz频段的上行接收灵敏度，提高边缘用户连接质量。此外，它也被广泛用于卫星通信地面站的小型化终端设备，尤其是在低轨（LEO）卫星互联网终端中作为射频前端放大单元，保障高速数据下行链路的稳定接收。
　　在智能交通系统中，XARR-03VF 可集成于77 GHz雷达系统的本地振荡器缓冲级或接收通道前置放大器中，尽管其原生频段略低于77 GHz，但通过倍频或级联设计仍可发挥良好性能。同时，该器件适用于工业级无线传感器网络、无人机通信链路以及安全监控领域的隐蔽式高频频段侦测设备。
　　由于其小型化封装和低功耗特性，XARR-03VF 特别适合嵌入便携式测试仪器、毫米波成像系统和科研实验平台中的射频模块。在军事与国防领域，该芯片可用于电子战系统中的宽带侦收前端，支持快速扫描与信号捕获功能。总体来看，XARR-03VF 的应用场景覆盖了民用通信、工业自动化、航空航天及高端科研等多个前沿技术方向。