时间：2025/9/3 21:50:31
阅读：8
IPI076N15N5是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，采用先进的沟槽型（Trench）技术，具备卓越的导通和开关性能。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，如电动汽车（EV）车载充电器、太阳能逆变器、工业电机驱动和储能系统等。IPI076N15N5的额定电压为1500V，额定电流为76A，能够在高温和高频率环境下稳定工作。
类型：碳化硅（SiC）功率MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1500V
最大漏极电流（ID）：76A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为76mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247-3
技术：沟槽型（Trench）SiC MOSFET
IPI076N15N5采用先进的沟槽型碳化硅技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗。这使其在高电流和高功率应用中表现出色，同时提高了系统效率。该器件的开关损耗也非常低，支持高频开关操作，有助于减小系统尺寸并提高功率密度。
此外，IPI076N15N5具有出色的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行。其宽禁带半导体材料特性使其具备更高的击穿电压能力和更低的漏电流，从而提升了器件的可靠性和寿命。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定工作。其封装形式为TO-247-3，便于安装和散热设计，适用于各种工业和汽车电子应用。
由于采用了碳化硅材料，该器件在高频工作时仍能保持较低的损耗，从而减少了对散热系统的要求，降低了整体系统成本。同时，IPI076N15N5的栅极驱动电路设计相对简单，与传统的硅基MOSFET兼容，便于工程师进行系统设计和优化。
IPI076N15N5广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如，在电动汽车的车载充电器（OBC）中，该器件可用于实现高效的AC-DC和DC-DC转换，提高充电效率并减小系统体积。在光伏逆变器中，IPI076N15N5可用于DC-AC转换环节，提高系统整体效率并降低热管理复杂度。
在工业电机驱动和变频器中，该MOSFET可用于实现高频开关控制，提高系统的动态响应能力和能量转换效率。此外，该器件还可用于储能系统中的DC-DC变换器，支持高电压输入和高效率能量转换。
在5G通信电源、数据中心服务器电源和工业电源模块中，IPI076N15N5的低导通和开关损耗特性可有效提升电源转换效率，降低系统功耗和散热需求。
IPI076N15N5的替代型号包括IPI085N15N5、IPI065N15N5以及Cree/Wolfspeed的C3M0060065J和C3M0060065D。
