XARP-13V-Z 时间：2025/12/27 16:53:11 阅读：21

XARP-13V-Z是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据线路和电源线路的静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用紧凑型封装，适用于对空间要求较高的便携式电子设备。XARP-13V-Z具备低电容特性，确保在保护高速信号线路时不会引入明显的信号失真或衰减，因此广泛应用于通信接口、消费类电子产品以及工业控制设备中。
　　该器件的核心功能是在遭遇瞬态过电压事件（如ESD冲击或电快速瞬变脉冲群EFT）时，迅速将电压钳位于安全水平，从而保护后端敏感集成电路免受损坏。其工作原理基于半导体PN结的雪崩击穿效应，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响电路运行；当瞬态电压超过击穿电压时，器件迅速导通并将能量泄放到地，实现有效的过压保护。
　　XARP-13V-Z采用先进的制造工艺，具有高度一致性和可靠性，能够在极端环境条件下稳定工作。其封装形式便于自动化贴装，适合大规模生产应用。此外，该产品符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环保性能的要求。

参数

类型：双向TVS二极管阵列
　　通道数：1
　　工作电压（VRWM）：13V
　　击穿电压（VBR）：14.4V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：2A
　　钳位电压（VC）：23.8V @ 2A
　　电容典型值（Ct）：0.45pF @ 0V, 1MHz
　　漏电流（IR）：0.1μA Max @ VRWM
　　ESD耐受能力：±30kV（接触放电），IEC61000-4-2 Level 4
　　响应时间：<1ns
　　封装形式：SC-70-3

特性

XARP-13V-Z具备卓越的静电放电（ESD）防护能力，符合IEC61000-4-2国际标准，并达到最高的Level 4防护等级，能够承受±30kV的接触放电和±30kV的空气放电。这一特性使其非常适合用于暴露在严苛电磁环境中的终端设备，例如智能手机、平板电脑、USB接口、HDMI端口以及其他高速数据传输接口。由于现代电子设备越来越趋向小型化与高频化，传统保护器件往往因寄生电容过大而导致信号完整性下降，而XARP-13V-Z通过优化内部结构设计，实现了极低的结电容（典型值仅为0.45pF），显著降低了对高速信号链路的影响，确保数据传输速率不受限制。
　　该器件采用双向保护架构，能够在正负两个方向上有效抑制瞬态过电压，适用于交流或双极性信号线路的保护场景。其超快响应时间小于1纳秒，意味着在ESD事件发生的瞬间即可启动保护机制，远快于大多数半导体器件的损坏时间尺度，从而提供及时可靠的保护作用。此外，XARP-13V-Z拥有极低的漏电流（最大0.1μA），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，特别适合电池供电的便携式设备，有助于延长续航时间。
　　在热稳定性方面，XARP-13V-Z经过严格的温度循环测试和长期老化验证，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适应各种恶劣工业环境。其封装采用SC-70-3小型化表面贴装形式，占用PCB面积小，便于高密度布局，同时支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。综合来看，XARP-13V-Z是一款高性能、高可靠性的片式ESD保护器件，兼顾了电气性能、物理尺寸与环境适应性，是高速接口防护的理想选择之一。