K3601G 时间：2025/12/26 23:34:08 阅读：19

K3601G是一款由韩国KEC Corporation（基伍电子）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等中低功率电力电子系统中。该器件采用高效率的平面场效应晶体管技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。K3601G通常封装在SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装中，具有良好的热性能和电气隔离能力，便于在高密度PCB布局中使用。该MOSFET工作稳定，可承受一定的过载电流，并具备较强的抗干扰能力和可靠性，适合工业控制、消费类电子产品及便携式设备中的开关控制功能。由于其性价比高且供货稳定，在中小功率开关电路中得到了广泛应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V, Id=2.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：60mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.5A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

K3601G作为一款高性能N沟道MOSFET，具备多项关键特性以满足现代电子系统对效率、尺寸和可靠性的要求。首先，其60V的漏源击穿电压使其能够适用于多种中低压电源应用，如12V或24V直流系统，涵盖大部分工业与消费类设备的工作电压范围。该器件在Vgs=10V条件下可实现低至45mΩ的导通电阻，显著降低了导通损耗，提升了整体能效，尤其适合电池供电设备中延长续航时间的需求。
　　其次，K3601G在Vgs=4.5V时仍能保持60mΩ的较低Rds(on)，表明其具备良好的低压驱动能力，可直接由逻辑电平信号（如3.3V或5V微控制器GPIO）驱动，无需额外的电平转换或栅极驱动IC，简化了电路设计并降低成本。这一特性使其在嵌入式系统、智能传感器模块和便携式电子产品中尤为受欢迎。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为8nC，有助于减少开关过程中的驱动功耗，提高高频开关应用下的效率。同时，输入电容仅为500pF，进一步降低了高频工作的动态损耗，使其适用于高达数百kHz的开关频率环境，例如同步整流DC-DC变换器、Buck/Boost拓扑结构等。
　　K3601G还具备良好的热稳定性与过载承受能力，最大工作结温可达150°C，可在较严苛的环境温度下长期稳定运行。其SOT-23封装虽体积小巧，但通过优化内部引线设计和材料选择，实现了较好的散热性能，适合自动化贴片生产，提升制造效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适应全球电子产品环保法规要求。

应用

K3601G被广泛应用于多个电子领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关与热插拔控制；便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机中的电池保护与电源切换；工业控制系统中的继电器替代与电机驱动；通信设备中的信号切换与电源分配；以及各类DC-DC转换器中作为同步整流开关或主控开关使用。此外，它也常用于LED驱动电路、USB充电端口的电流控制、智能家居设备的电源管理单元等场景。得益于其小封装、低导通电阻和良好的驱动兼容性，K3601G特别适合空间受限但对效率有要求的设计。