存储容量：256Kbit (32K x 8)
　　工作电压：2.7V 至 5.5V
　　访问时间：55ns / 70ns / 90ns（根据不同版本）
　　封装类型：28引脚 SSOP / PLCC / SOIC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保存时间（EEPROM）：10年 @ 25°C
　　读写耐久性：100万次（EEPROM）
　　功耗：典型值 1mA（工作模式），待机电流 < 10nA
　　接口类型：并行接口（8位数据总线）
　　控制信号：CE（片选），OE（输出使能），WE（写使能）

X84256E 是一款具备非易失性存储能力的 SRAM 芯片，其主要特性之一是能够在断电前将 SRAM 中的数据自动或手动存储到内部的 EEPROM 存储器中，并在上电后恢复数据。这种“数据影子”功能确保了在系统断电或复位时不会丢失关键数据。
　　该芯片支持高速访问，访问时间最短可达 55ns，满足对实时性要求较高的应用。其宽电压范围（2.7V 至 5.5V）使其适用于多种电源环境，提高了系统的兼容性与稳定性。
　　此外，X84256E 还具备低功耗特性，在待机模式下电流极低，适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。芯片内部集成了硬件写保护机制，防止误操作导致数据损坏。同时，其支持软件数据保护协议，进一步增强了数据的安全性。
　　该器件采用标准的并行接口，兼容大多数微处理器和控制器，便于集成到现有系统中。工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。

X84256E 广泛应用于需要高速数据存储和断电数据保持的系统中，例如：
　　? 工业控制系统：如 PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制设备等，用于暂存运行参数和状态信息。
　　? 通信设备：如路由器、交换机和无线基站，用于缓存配置数据和临时通信信息。
　　? 医疗仪器：如心电图仪、监护仪等设备，用于保存患者数据和设备校准信息。
　　? 数据采集系统：用于在断电或重启时保存关键的测量数据。
　　? 汽车电子：如车载诊断系统（OBD）、远程信息处理系统等，用于记录运行日志和故障码。
　　? 测试与测量设备：如示波器、频谱分析仪等，用于保存测量结果和配置参数。
　　由于其非易失性、高速和低功耗的特性，X84256E 也是替代传统 EEPROM 和较慢 NOR Flash 的理想选择。

X84256B, X84256C, CY84256A, IS61WV2568GBLL