GMC04CG330G50NT 是一款高可靠性、低导通电阻的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有出色的开关特性和热性能,同时支持高频率操作以提高效率并减小系统尺寸。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263 (D2PAK),适合表面贴装应用,能够提供优异的电气连接和散热能力。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:33A
导通电阻(典型值):5mΩ
栅极电荷(典型值):115nC
开关时间:ton=8ns, toff=25ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263 (D2PAK)
GMC04CG330G50NT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),从而减少导通损耗,提升整体效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 33A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,降低开关损耗,适用于高频应用。
4. 强大的抗雪崩能力和鲁棒性,确保在异常条件下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 小巧的 D2PAK 封装,易于集成到紧凑型设计中。
7. 广泛的工作温度范围,适应各种严苛环境。
GMC04CG330G50NT 可用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业设备和汽车电子中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统中的功率管理组件。
GMC04CG330G55NT, IRF3710, FDP330N04L