时间：2025/7/3 10:17:18
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GMC04CG330G50NT 是一款高可靠性、低导通电阻的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有出色的开关特性和热性能，同时支持高频率操作以提高效率并减小系统尺寸。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装应用，能够提供优异的电气连接和散热能力。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：33A
导通电阻（典型值）：5mΩ
栅极电荷（典型值）：115nC
开关时间：ton=8ns, toff=25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263 (D2PAK)
GMC04CG330G50NT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，从而减少导通损耗，提升整体效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 33A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，适用于高频应用。
4. 强大的抗雪崩能力和鲁棒性，确保在异常条件下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 小巧的 D2PAK 封装，易于集成到紧凑型设计中。
7. 广泛的工作温度范围，适应各种严苛环境。
GMC04CG330G50NT 可用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业设备和汽车电子中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统中的功率管理组件。
GMC04CG330G55NT, IRF3710, FDP330N04L
