时间：2025/7/26 8:10:57
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X24645S8I 是一款由 Xicor（现为 Intersil 公司的一部分）生产的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该芯片结合了 SRAM 的高速读写特性和非易失性存储技术，能够在断电情况下保持数据不丢失。X24645S8I 采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于需要高可靠性和持久数据存储的应用场合。
容量：4K x 8 位
工作电压：2.7V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8 引脚 SOIC
存储器类型：非易失性 SRAM（NVSRAM）
读写速度：最大访问时间 55ns
数据保持时间：10 年（典型值）
写入耐久性：无限次写入
接口类型：并行接口
X24645S8I 是一款高性能的非易失性存储器，其核心特性在于它能够在断电情况下自动将 SRAM 中的数据保存到非易失性存储单元中，通常使用内部电容或外部电源作为备用能源。该芯片支持高速读写操作，访问时间仅为 55ns，非常适合需要快速数据存取的应用。其宽电压范围（2.7V 至 5.5V）使其适用于多种电源环境，同时具备较强的抗干扰能力。
该芯片还具备无限次的写入耐久性，不会像传统 EEPROM 或 Flash 存储器那样受限于写入次数。此外，X24645S8I 的数据保持时间长达 10 年以上，确保数据在断电后仍能长期保存。这些特性使其在工业控制、通信设备、医疗仪器、数据记录器等领域中具有广泛的应用前景。
X24645S8I 常用于需要高速读写和非易失性数据存储的系统中，如工业自动化设备中的状态存储、网络设备中的配置信息保存、医疗设备中的患者数据记录、POS 机中的交易日志存储、嵌入式系统中的临时数据缓存等。由于其具备高可靠性和长数据保持时间，也适用于航空航天和军事设备中的关键数据存储。
Intersil X2444S8I、Cypress CY14B104QN-BA55XI、ON Semiconductor NVS5120S8
