容量：8GB（1G x 72）
　　类型：DDR4 ECC Registered DIMM
　　频率：2133MHz
　　电压：1.2V
　　CL延迟：15
　　数据宽度：72位
　　CAS延迟：15
　　工作温度：0°C 至 85°C
　　模块结构：x4 SDRAM
　　封装形式：288-pin DIMM

MTA18ASF1G72HZ2G3B内存模块采用了先进的DDR4 SDRAM技术，具有较低的工作电压（1.2V），有效降低了功耗与发热，延长了系统的使用寿命。
　　该模块支持ECC（Error Correction Code）功能，能够自动检测并纠正单比特内存错误，显著提升数据的完整性与系统的稳定性，非常适合运行在服务器、数据中心和高性能计算环境中的关键任务系统。
　　其Registered（寄存）特性意味着内存模块集成了寄存器芯片，增强了地址和控制信号的稳定性，允许系统支持更大的内存容量而不影响信号完整性，适用于多通道内存架构和高密度内存配置。
　　此外，该模块支持x4 SDRAM架构，具有较高的数据吞吐能力和更强的错误检测能力，适用于对数据可靠性要求极高的应用环境。
　　模块的工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业级和商业级应用环境，具备良好的热稳定性和兼容性。

MTA18ASF1G72HZ2G3B内存模块广泛应用于服务器、企业级存储设备、高性能计算平台（HPC）、数据中心以及需要高可靠性和数据完整性的工业控制系统中。
　　由于其ECC与Registered特性，它特别适合用于运行数据库服务器、虚拟化平台、云计算基础设施、大型企业应用程序以及金融、电信、医疗等行业的关键任务系统。
　　在这些应用场景中，内存的稳定性和数据的准确性至关重要，该模块能够有效防止由于内存错误导致的系统崩溃或数据损坏，从而提高系统的整体可用性与可靠性。
　　此外，该模块也适用于高端工作站，用于执行复杂的3D建模、视频渲染、科学计算和工程仿真等计算密集型任务。

MTA18ASF1G72PZ2G3B, MTA18ASF1G72HZ3G4B1