型号：WTVA0400N07SMT
　　类型：SiC MOSFET
　　拓扑结构：单管
　　漏源电压Vds：750 V
　　连续漏极电流Id：40 A
　　脉冲漏极电流Idm：160 A
　　导通电阻RDS(on)：40 mΩ
　　栅极阈值电压Vgs(th)：3.8 V
　　最大栅源电压Vgs(max)：+25 / -10 V
　　二极管正向压降Vsd：2.9 V
　　输入电容Ciss：4200 pF
　　输出电容Coss：850 pF
　　反向传输电容Crss：100 pF
　　工作结温范围Tj：-55 至 +175 °C
　　封装形式：TO-263-7L (D2PAK 7L)
　　安装类型：表面贴装
　　是否符合RoHS：是
　　是否车规级：是

WTVA0400N07SMT的核心特性源于其采用的第三代碳化硅MOSFET工艺，使其在高电压应用中表现出卓越的静态与动态性能。首先，在静态参数方面，该器件具有750V的漏源击穿电压，能够满足大多数中高压电力转换场景的需求，如车载充电系统和直流母线电压在400V~600V范围内的工业设备。其典型导通电阻仅为40mΩ，远低于同等级硅基IGBT或超级结MOSFET，这直接降低了导通状态下的I2R损耗，提高了系统整体效率，尤其是在持续大电流工作的工况下效果更为明显。更低的RDS(on)也意味着可以减小散热器尺寸，进而实现更高功率密度的设计目标。
　　其次，该器件具备优异的开关特性。由于碳化硅材料本身的载流子迁移率高且寄生电容较小，WTVA0400N07SMT在高频开关操作中展现出极低的开关损耗，支持高达数百kHz甚至MHz级别的PWM调制频率。这对于减小无源元件（如电感和电容）体积至关重要，有助于缩小整个电源系统的外形尺寸。同时，其反向恢复电荷Qrr几乎为零，消除了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和EMI问题，提升了系统的可靠性和电磁兼容性表现。
　　第三，其TO-263-7L七引脚封装集成了开尔文源极设计，将驱动回路与功率回路分离，避免了因共源电感引起的栅极电压跌落现象，确保栅极驱动信号的准确传递，从而允许更高的dV/dt耐受能力，并有效抑制串扰和误触发。这一设计特别适用于高di/dt应用场景，例如多管并联或半桥/全桥拓扑结构中。此外，器件支持宽范围栅极驱动电压（推荐+18V至+23V开通，-5V关断），增强了对不同驱动电路的适配性。
　　最后，该产品通过AEC-Q101认证，具备出色的热稳定性和长期可靠性。其最高结温可达+175°C，可在高温环境下持续运行而无需降额，适用于发动机舱附近或其他高温区域的应用。同时，器件内部结构优化了热阻特性，使热量能更高效地传导至PCB或散热底板，进一步提升热管理效率。综上所述，WTVA0400N07SMT凭借其低损耗、高频率响应、高可靠性及先进封装技术，成为下一代高效电力电子系统的关键组件之一。

WTVA0400N07SMT广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。主要应用领域包括电动汽车的主驱逆变器和车载充电机（OBC），其中其高耐压、低损耗特性可显著提升续航里程和充电效率；在直流快速充电桩中，该器件用于PFC级和DC-DC升压/降压模块，支持更高功率输出与更快响应速度；在工业电机驱动器中，可用于伺服驱动、变频器等设备，实现节能降耗与小型化设计；在可再生能源系统如光伏逆变器和储能变流器（PCS）中，其高频工作能力有助于提高能量转换效率并减少滤波器体积；此外，还适用于高端服务器电源、电信整流器、UPS不间断电源等工业电源模块，满足80 PLUS钛金等级对效率的要求。由于其具备车规级认证，因此在汽车电子领域的应用尤为突出。

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