时间：2025/5/7 13:24:24
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AONR66924 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。这款器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理、电机驱动等场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
工作结温范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
AONR66924 具有非常低的导通电阻，可以显著降低传导损耗，从而提高系统的整体效率。
其快速的开关性能使得它可以适用于高频应用环境，并减少能量损失。
此外，该器件还具备较高的雪崩能力和鲁棒性，能够承受瞬态过压和浪涌电流，保证系统运行的可靠性。
AONR66924 的小型化封装设计有助于节省 PCB 空间，同时增强散热性能。
DC-DC 转换器
负载开关
电池管理系统
电机驱动
消费类电子设备中的电源管理
通信设备中的高效功率转换
AONR66922
AONR66926
