KHB2D0N60P 时间：2025/12/28 14:48:52 阅读：17

KHB2D0N60P 是一款由KOREA SEMICONDUCTOR（韩国半导体公司）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频开关应用。这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点。KHB2D0N60P通常用于电源转换器、电机驱动、电池充电器以及各种高功率电子设备中。该器件采用TO-220封装形式，便于散热，适合在各种工业和消费电子应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：2A
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.0Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KHB2D0N60P MOSFET具有多个显著的性能特点。首先，它的高耐压能力达到600V，适用于高压电源应用，如开关电源（SMPS）、LED驱动器和工业控制设备。其次，低导通电阻（RDS(on)）约为2.0Ω，这意味着在导通状态下，功率损耗较低，从而提高整体效率并减少发热。
　　此外，该MOSFET的栅极阈值电压在2V至4V之间，使其兼容多种驱动电路，包括常见的CMOS和TTL逻辑电平。这使得KHB2D0N60P可以广泛应用于各种数字控制的功率系统中。
　　其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力，确保在高负载条件下稳定运行。
　　该器件还具有较高的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。

应用

KHB2D0N60P MOSFET因其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，被广泛应用于多种高功率和高频开关电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC/DC转换器、DC/DC转换器、LED照明驱动器以及各种电机控制和电池充电系统。
　　在开关电源中，KHB2D0N60P可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在LED照明系统中，它可以用于恒流驱动电路，确保LED光源的稳定性和寿命。
　　此外，该MOSFET也适用于各种工业自动化设备中的电机驱动电路，用于控制直流电机的速度和方向。在电池管理系统中，它可用于实现高效的充放电控制。
　　由于其良好的热性能和封装设计，KHB2D0N60P也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载娱乐设备的电源管理模块。