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GA1206A182FBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:24:17 查看 阅读:9

GA1206A182FBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关条件下保持良好的性能。
  该器件主要设计用于需要高效能功率转换的应用中,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

型号:GA1206A182FBBBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:TO-220AB
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  存储温度范围:-65℃ to +175℃

特性

GA1206A182FBBBR31G 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的雪崩能力,提高了在异常条件下的可靠性。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的抗静电能力。
  5. 热稳定性好,能够在高温环境下长期可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特点使得 GA1206A182FBBBR31G 成为各种高功率密度应用的理想选择。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 工业电机驱动及控制电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 通信设备中的 DC/DC 转换器。
  5. 汽车电子中的大电流开关。
  6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节器。
  由于其强大的电流承载能力和高效的能量转换性能,GA1206A182FBBBR31G 在各类高功率应用场景中表现出色。

替代型号

IRFZ44N
  STP50NF06
  FDP5500
  AO3400

GA1206A182FBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-