GA1206A182FBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关条件下保持良好的性能。
该器件主要设计用于需要高效能功率转换的应用中,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
型号:GA1206A182FBBBR31G
类型:N-Channel MOSFET
封装形式:TO-220AB
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):150W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
存储温度范围:-65℃ to +175℃
GA1206A182FBBBR31G 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 强大的雪崩能力,提高了在异常条件下的可靠性。
4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的抗静电能力。
5. 热稳定性好,能够在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特点使得 GA1206A182FBBBR31G 成为各种高功率密度应用的理想选择。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 通信设备中的 DC/DC 转换器。
5. 汽车电子中的大电流开关。
6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节器。
由于其强大的电流承载能力和高效的能量转换性能,GA1206A182FBBBR31G 在各类高功率应用场景中表现出色。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP5500
AO3400