时间：2025/6/14 16:56:24
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WST05N10是一款基于硅材料制造的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够在高频应用中提供优异的性能。
WST05N10属于N沟道增强型MOSFET，其额定电压为100V，能够满足多种高压应用场景的需求。同时，由于其出色的开关特性和热性能，它在效率敏感的应用中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5A
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：35nC（典型值）
输入电容：1400pF（典型值）
反向恢复时间：60ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 高电压处理能力，适用于100V的工作环境。
2. 超低导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗。
3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
4. 高电流承载能力，支持高达5A的连续漏极电流。
5. 极低的栅极电荷，提高驱动效率。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 热稳定性好，能够在高温环境下长期可靠运行。
8. 封装形式多样，易于集成到各种设计中。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 直流/直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业控制中的高压驱动电路。
6. LED驱动器中的功率开关元件。
7. 充电器和适配器中的关键功率器件。
IRF540N
STP5NK10Z
FQP50N10
AO3400
