时间：2025/9/16 4:44:21
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ATF-521P8-TR1G是一款由Microchip Technology（原Atmel）生产的双极型射频晶体管（RF Bipolar Transistor），适用于高频和射频功率放大器应用。该器件基于硅双极型技术制造，能够在高频范围内提供高效的功率放大性能。ATF-521P8-TR1G采用8引脚DFN（Dual Flat No-leads）封装，适用于紧凑型射频模块和无线通信系统的设计。
类型：双极型射频晶体管（NPN）
工作频率范围：最高可达250 MHz
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30 V
最大集电极电流（IC）：1 A
最大功耗（PD）：1.8 W
增益（hFE）：典型值为80 @ IC = 150 mA, VCE = 5 V
封装类型：8-DFN
安装类型：表面贴装（SMT）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
ATF-521P8-TR1G具备良好的高频响应和稳定的放大性能，适用于中低功率射频放大应用。该器件采用先进的硅双极型工艺制造，确保在高频下仍能保持优异的线性度和效率。其高击穿电压（30V VCEO）允许在较宽的电压范围内工作，提高了设计的灵活性。晶体管的增益（hFE）在典型工作条件下可达到80，能够提供足够的信号增益，满足多种射频放大需求。此外，ATF-521P8-TR1G采用8-DFN无引线封装，具有较小的寄生电感和优异的热性能，有助于提高高频电路的稳定性。该器件还具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+150°C的工业级温度范围内可靠运行，适用于各种恶劣环境下的射频系统设计。其低功耗设计和高可靠性使其成为无线基础设施、射频测试设备、工业控制和消费类射频产品中的理想选择。
ATF-521P8-TR1G广泛应用于射频功率放大器、中低功率无线发射模块、射频测试仪器、无线通信系统（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）、工业自动化设备和便携式通信设备中。由于其优异的高频特性和良好的线性度，该器件特别适用于需要中等功率放大的射频前端设计。在无线基站、远程射频单元（RRU）和小型蜂窝网络设备中，ATF-521P8-TR1G可用于构建高效、稳定的射频放大链路。同时，其紧凑的DFN封装也使其适用于空间受限的便携式电子设备和射频传感器网络。
2N3904, 2N2222A, BFQ191
