类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：7.5A（在VGS=10V时）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8 / TDFN-8
　　功率耗散（PD）：3W（SOP-8）或2.5W（TDFN-8）
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：650pF（典型值）

WSP4407具备多项优异特性，使其在中功率电源应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为30mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于需要高效能的DC-DC转换器和电池管理系统。
　　其次，该器件支持高达7.5A的连续漏极电流，能够满足高负载需求，如电机驱动、LED驱动器和负载开关等应用。
　　此外，WSP4407采用先进的Trench工艺技术，不仅提升了导通性能，还增强了器件的开关速度和稳定性，从而减少了开关损耗。
　　其栅极电荷（Qg）为15nC，输入电容（Ciss）为650pF，这使得器件在高频开关应用中仍能保持良好的性能，适用于高频PWM控制场景。
　　封装方面，WSP4407提供SOP-8和TDFN-8两种常见封装形式，便于PCB布局并具备良好的热管理能力，有助于提高整体系统的稳定性和可靠性。
　　最后，WSP4407的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应多种工作环境，包括工业级和汽车电子应用。

WSP4407适用于多种电源管理与功率控制场景，尤其适合以下应用领域。
　　在DC-DC转换器中，WSP4407凭借其低导通电阻和高开关速度，可有效提升转换效率，适用于Buck、Boost及Buck-Boost拓扑结构，广泛用于便携式设备、电源适配器及电池供电系统。
　　作为负载开关使用时，WSP4407能够快速控制电源通断，适用于智能电池管理、服务器电源系统和多路电源分配等应用。
　　在电机驱动和LED驱动器中，WSP4407支持高电流负载，配合PWM控制实现精确的调速或调光功能。
　　此外，该器件也可用于电源管理IC（PMIC）的外围功率开关，以及工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品的功率控制模块。
　　由于其宽工作温度范围和高可靠性，WSP4407也适用于车载电子系统、安防设备和智能家电等需要长期稳定运行的场合。

Si2302, AO4407, FDS4410, NTD4859NT4G, IPD4859NFD