类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 70mΩ（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约1200pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

WSP14N10具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率和高可靠性的功率系统设计。
　　首先，该MOSFET具备较低的导通电阻（RDS(on)），通常在70mΩ以下，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于需要高效率的电源设计。
　　其次，WSP14N10的漏源耐压为100V，能够满足大多数中压功率转换应用的需求，例如DC-DC变换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路等。
　　此外，该器件支持高达14A的连续漏极电流，具备良好的电流承载能力，适用于需要较高功率输出的应用场景。
　　WSP14N10采用了TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，能够有效降低结温，从而提高器件的稳定性和寿命。这种封装也便于PCB布局和自动化生产。
　　在动态性能方面，WSP14N10具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　最后，该器件具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了在恶劣工作环境下的稳定性和可靠性。

WSP14N10广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **电源管理**：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器等，其低导通电阻和高效率特性使其成为电源系统中理想的开关元件。
　　2. **电机控制**：用于电机驱动电路中的H桥结构或PWM调速系统，实现对电机的高效控制。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：作为高边或低边开关，用于电池充放电控制或保护电路。
　　4. **工业自动化**：在工业控制设备中用于负载开关、继电器替代或功率调节电路。
　　5. **新能源应用**：如太阳能逆变器、储能系统、电动车充电模块等，满足高效率和高可靠性需求。
　　6. **消费类电子产品**：用于笔记本电脑、平板电脑、电源适配器等设备中的电源管理电路。

Si4410BDY-T1-E3, IRF540N, FDPF5N50, FQP13N10L