类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）或类似功率封装

WSF80N06H MOSFET的主要特性之一是其极低的Rds(on)，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。其3.5mΩ的典型导通电阻在高电流条件下尤其有利，能够显著降低发热并提高能效。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，连续漏极电流可达80A，适合高功率密度应用，如服务器电源、电动工具和工业控制系统。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，支持稳定的栅极控制，并具有良好的抗干扰能力。
　　WSF80N06H采用TO-263（D2PAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热管理。其工作温度范围从-55°C到175°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
　　在动态性能方面，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动器。同时，其内部结构优化，提高了抗雪崩能力和可靠性，适用于要求高鲁棒性的应用场景。

WSF80N06H广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在需要高效、高电流处理能力的场合。常见应用包括服务器和通信设备的电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动工具、电动车和储能系统）、电机控制电路以及工业自动化设备中的负载开关。
　　在服务器和通信设备中，WSF80N06H用于构建高效率的多相电源模块，确保在高负载条件下仍能维持稳定的电压转换效率。在电池管理系统中，该器件可作为主开关或保护开关，实现快速响应和低功耗控制。
　　此外，WSF80N06H也适用于电机驱动和逆变器系统，其高电流能力和快速开关特性使其能够在PWM控制中实现精确的转矩调节和高效的能量转换。在工业控制系统中，该MOSFET可用于构建高可靠性的继电器替代方案，避免机械磨损并提高系统寿命。

SiHF80N06H, IPW80N06S2L-03, FDD80N06, NTD80N06HT