IPD90R1K2C3是一种基于硅基的功率MOSFET器件,专为高效率和高性能应用而设计。该型号采用先进的制程技术,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理和转换场景。
型号:IPD90R1K2C3
类型:N沟道功率MOSFET
封装形式:TO-247
额定电压(Vds):1200V
额定电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):150nC(最大值)
连续漏极电流:90A(Tc=25°C)
功耗:180W(Tc=25°C)
工作温度范围:-55°C至+175°C
IPD90R1K2C3具有非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高系统效率。同时,其快速的开关速度能够有效降低开关损耗,适合高频开关应用。此外,它采用了坚固的设计以确保在极端温度条件下依然保持稳定运行。
该器件还具有较高的雪崩击穿能力,可以在过载或短路情况下提供额外的保护功能。由于其大电流承载能力和高耐压等级,IPD90R1K2C3非常适合用于工业电机驱动、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
另外,IPD90R1K2C3具备优异的热性能,允许更高的功率密度设计,并且可以简化散热管理方案。其封装形式支持高效的热量散发,从而进一步增强了整体性能表现。
IPD90R1K2C3广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 工业电机驱动:支持高效控制和调速,特别适用于高压环境下的交流感应电机和永磁同步电机驱动。
2. 太阳能逆变器:用于将直流电转换为交流电,实现高效率的能量转换。
3. 不间断电源(UPS):作为核心功率开关元件,提供可靠的电力保障。
4. 电动车充电设备:支持快速充电站的功率模块设计。
5. 开关电源(SMPS):在高频开关场景下提供低损耗的功率转换。
6. 照明镇流器:用于高压钠灯或其他气体放电灯的电子镇流器设计。
IPD80R1K2C3, IPD100R1K2C3, IRGB1406PBF