时间：2025/8/2 4:34:00
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WSF7P20 是一款由深圳市维圣半导体有限公司（WSemi）推出的高性能、低功耗MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有优异的导通电阻、开关特性和热稳定性，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等多种应用场景。该MOSFET为P沟道类型，具有较高的电压和电流承受能力，适用于对效率和稳定性要求较高的电源系统。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：7A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（典型值，VGS = -10V）
最大功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
WSF7P20 MOSFET采用了先进的沟槽式MOS结构，使得其在导通状态下具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗。该器件支持高达200V的漏源电压，适用于中高功率电源转换系统。其栅极设计可承受±20V的栅源电压，提高了器件的抗过压能力，增强了系统稳定性。
此外，WSF7P20的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。该封装还便于在PCB上安装和焊接，提高了生产效率和可靠性。该器件的开关特性优化，使得在高频工作状态下仍能保持较低的开关损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流器等高频应用。
WSF7P20广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见的应用包括：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、高侧负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统等。
Si2302DS, AO3401A, IRML2502, FDN340P, FDMS86180
