WSF50N10是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率电子设备中,如开关电源、电机驱动和逆变器等。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和高电流承载能力等优点,适用于高效率和高功率密度的设计需求。
类型:N沟道
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):50A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):≤7.5mΩ(在VGS=10V)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)或TO-220
最大功耗(PD):160W
WSF50N10 MOSFET采用了先进的沟槽式技术,使得其在高电流和高电压条件下依然能够保持较低的导通损耗,从而提高了整体系统效率。其低RDS(on)特性有助于减少功率损耗,降低工作温度,提高可靠性。
此外,该器件具备出色的热稳定性,能够在高负载条件下维持稳定的性能。WSF50N10的封装设计(如TO-263或TO-220)提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度和高可靠性的应用。
其栅极驱动特性也较为理想,适用于各种驱动电路设计,确保快速开关并减少开关损耗。此外,WSF50N10具备良好的抗雪崩能力,能够在突发高压或电流冲击下保持稳定工作,提高系统的鲁棒性。
WSF50N10广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于:
? 开关电源(SMPS)中的主开关元件,用于高效DC-DC或AC-DC转换。
? 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器或步进电机驱动器。
? 逆变器系统,如太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动汽车充电系统。
? 负载开关和电源管理系统,适用于工业自动化、智能家电和汽车电子。
? 高功率LED驱动器和电池充电管理电路。
IRF50N10D, STP50N10, FDP50N10