时间：2025/8/28 11:10:56
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WSF50N10是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率电子设备中，如开关电源、电机驱动和逆变器等。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流承载能力等优点，适用于高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：50A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）或TO-220
最大功耗（PD）：160W
WSF50N10 MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使得其在高电流和高电压条件下依然能够保持较低的导通损耗，从而提高了整体系统效率。其低RDS(on)特性有助于减少功率损耗，降低工作温度，提高可靠性。
此外，该器件具备出色的热稳定性，能够在高负载条件下维持稳定的性能。WSF50N10的封装设计（如TO-263或TO-220）提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用。
其栅极驱动特性也较为理想，适用于各种驱动电路设计，确保快速开关并减少开关损耗。此外，WSF50N10具备良好的抗雪崩能力，能够在突发高压或电流冲击下保持稳定工作，提高系统的鲁棒性。
WSF50N10广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）中的主开关元件，用于高效DC-DC或AC-DC转换。
? 电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器或步进电机驱动器。
? 逆变器系统，如太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动汽车充电系统。
? 负载开关和电源管理系统，适用于工业自动化、智能家电和汽车电子。
? 高功率LED驱动器和电池充电管理电路。
IRF50N10D, STP50N10, FDP50N10
