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WSF30P60 发布时间 时间:2025/8/2 5:17:42 查看 阅读:14

WSF30P60是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率的开关应用。这款器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和优异的热性能。WSF30P60属于N沟道增强型MOSFET,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及其他功率电子设备。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):30A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.16Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220或TO-3P(根据制造商不同可能有所变化)

特性

WSF30P60功率MOSFET具有多项显著的技术特性,使其在高性能功率应用中表现出色。
  首先,该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),典型值为0.16Ω,这使得在导通状态下功耗更低,从而提高了系统的整体效率。这对于需要高能效的电源转换器和电机驱动器尤为重要。
  其次,WSF30P60的最大漏源电压可达600V,能够在高压环境下稳定工作,适用于高压电源、电机控制和逆变器等应用场景。同时,其最大连续漏极电流为30A,在适当的散热条件下能够承受较大的负载电流,适用于中高功率级别的应用。
  此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种恶劣的工作环境。这种宽温度范围的特性使得WSF30P60在工业控制、自动化设备和电源模块中具有较高的可靠性和稳定性。
  WSF30P60还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。这一特性对于高频开关电源和DC-DC转换器来说至关重要,能够有效提升系统的工作频率和效率。
  最后,WSF30P60通常采用TO-220或TO-3P封装形式,具备良好的散热能力,便于安装在散热片上,从而进一步提升其在高功率应用中的稳定性。

应用

WSF30P60广泛应用于多个领域,主要包括:
  1. 电源管理系统:如开关电源(SMPS)、AC-DC转换器等,用于高效能电源设计。
  2. 电机控制:用于工业电机驱动器、电动工具和风扇控制等应用,提供高效的功率控制。
  3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)和太阳能逆变器中作为核心功率开关元件,实现高效的能量转换。
  4. DC-DC转换器:用于车载电源、电池管理系统和LED照明驱动等场合,实现高效的电压转换。
  5. 工业自动化与控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和工业机器人,用于高可靠性的功率控制。
  6. 家用电器:如电磁炉、微波炉和其他高功率家电设备中的功率控制电路。

替代型号

IRF840、FQA30N60、STP30NF60、FGA30N60

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