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ES350XSMD 发布时间 时间:2025/12/27 11:47:32 查看 阅读:12

ES350XSMD 是一款高性能的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装器件(SMD)封装技术,广泛应用于电源管理、开关模式电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器以及其他需要高效能整流功能的电子电路中。该器件以其低正向电压降、快速开关响应和高效率著称,特别适用于对功耗敏感和空间受限的应用场景。ES350XSMD 的设计旨在优化热性能和电气性能,能够在高温环境下稳定运行,并具备良好的抗浪涌电流能力。其封装形式符合行业标准,便于自动化贴片生产,提升了制造效率与可靠性。该二极管通常由半导体硅材料制成,结合铂或钛等金属形成肖特基结,从而实现比传统PN结二极管更低的导通压降和更短的反向恢复时间。由于其优异的高频特性,ES350XSMD 在现代便携式电子产品、通信设备、工业控制系统以及新能源系统(如太阳能逆变器)中发挥着重要作用。此外,该器件通过了多项国际安全与环保认证,符合RoHS指令要求,确保在绿色电子产品中的合规使用。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:单路
  最大重复反向电压(VRRM):50V
  最大平均正向整流电流(IO):3.0A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):80A @ 8.3ms
  最大正向电压降(VF):0.52V @ 3.0A, 150°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 50V, 125°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  封装/外壳:DFN2510D-2

特性

ES350XSMD 肖特基二极管的核心优势在于其卓越的电学性能与紧凑的封装设计相结合,使其成为现代高密度电源系统中的理想选择。该器件采用了先进的肖特基势垒结构,利用金属-半导体接触原理,显著降低了正向导通时的电压降,典型值仅为0.52V,在3A大电流条件下仍能保持较低的功耗,有效减少发热,提高系统整体效率。相比传统的快恢复二极管或标准硅二极管,这种低VF特性尤其有利于提升DC-DC转换器和同步整流拓扑中的能效表现。
  另一个关键特性是其极短的反向恢复时间(trr),几乎接近于零,这意味着在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电荷(Qrr),从而大幅降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。这一特点使得ES350XSMD非常适合用于高频开关电源、PWM控制电路以及桥式整流等场合,有助于实现更高的开关频率和更小的滤波元件尺寸,进而缩小整个电源模块的体积。
  在热管理方面,DFN2510D-2封装具有优异的散热性能,底部带有裸露焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层,增强热稳定性。同时,该封装尺寸小巧(约2.5mm x 1.0mm),节省宝贵的PCB空间,适用于智能手机、平板电脑、LED驱动电源等小型化电子产品。
  ES350XSMD 还具备良好的可靠性和环境适应性,能够在-65°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作,满足严苛工业环境下的使用需求。器件经过严格的老化测试和可靠性验证,具备出色的抗湿气、抗振动和抗机械应力能力。此外,产品符合无铅焊接工艺要求,支持回流焊和波峰焊等多种组装方式,兼容现代SMT生产线流程。

应用

ES350XSMD 肖特基二极管广泛应用于多种电力电子领域,尤其适合需要高效率、小尺寸和快速响应的电源系统。常见应用包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD电视电源板等消费类电子产品;在DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管或防倒灌二极管,提升转换效率并防止能量回馈损坏前端电路;还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能光伏系统中的旁路保护,避免热斑效应导致组件损坏。
  在便携式设备中,该器件常被用作电池充放电路径的隔离二极管,确保电流单向流动,防止反向放电。此外,在LED照明驱动电源中,ES350XSMD 可作为高频整流元件,配合电感和控制器实现恒流输出,保障LED光源的稳定运行。工业控制系统的PLC模块、传感器供电单元以及电机驱动电路也常采用此类高性能肖特基二极管来提升系统响应速度和能效等级。通信基站、服务器电源和网络设备中的分布式电源架构同样依赖其低损耗特性来维持长时间稳定运行。

替代型号

SR350,SBR3U50CT,SMB350

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