时间：2025/6/22 15:24:29
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WSF12N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252/DPAK封装形式。这款器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。由于其低导通电阻和高效率特性，它在消费电子、工业控制以及汽车电子领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：8nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
热阻（结到壳）：35℃/W
WSF12N10具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效率和低功耗。
2. 高速开关能力使得该器件适用于高频应用环境。
3. 强大的散热性能，能够适应高温工作条件。
4. 内置反向二极管，提供额外的保护功能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
WSF12N10主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载开关，用于各种便携式设备。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 工业自动化控制设备中的功率切换部分。
STP12NK10, IRFZ44N
