时间：2025/6/25 16:59:22
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WESD12V0A2S2 是一款采用 SMA 封装的瞬态电压抑制二极管（TVS 二极管）。它主要用于电路中的瞬态过电压保护，例如雷击、电感负载切换和静电放电等产生的瞬态电压。该器件具有低电容特性，适合用于高速数据线路和射频应用中的过压保护。
最大反向工作电压：12V
击穿电压：13.8V
峰值脉冲电流：39.6A
箝位电压：24.7V
结电容：11pF
响应时间：1ps
漏电流：1uA
封装形式：SMA
WESD12V0A2S2 具有以下特性：
1. 快速响应时间，能够有效抑制瞬态过电压，保护敏感电子元件。
2. 低电容设计，适用于高速信号传输场景。
3. 高浪涌能力，能够承受较大的峰值脉冲电流。
4. 可靠性高，能够在恶劣环境下长期使用。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制和其他需要过压保护的领域。典型应用场景包括：
1. 数据接口保护，如 USB、HDMI 和以太网端口。
2. 射频前端保护，在无线通信模块中防止静电损坏。
3. 工业控制系统中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压防护。
WESD12V0A2S1
