型号：WSD40P10DN56
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：40A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为10mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：DPAK (TO-252)

WSD40P10DN56是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时典型值为10mΩ，使得该器件能够在高电流条件下保持较低的功耗。此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压（Vds）可达100V，适用于中高功率的应用场景。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提升了电流处理能力和热稳定性，同时优化了开关特性，降低了开关损耗。其栅源电压（Vgs）范围为±20V，具有较高的栅极稳定性，能够适应不同的驱动电路设计。此外，WSD40P10DN56的工作温度范围较宽，可在-55°C至+175°C之间正常运行，适合在极端环境条件下使用。
　　在封装方面，WSD40P10DN56采用了DPAK（TO-252）封装形式，这种封装不仅具有良好的散热性能，而且适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和PCB布局。该封装形式也有助于提高器件的机械强度和可靠性，适合在工业级和汽车电子应用中使用。

WSD40P10DN56适用于多种高功率和高频率的应用场合。在电源管理系统中，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路中，以实现高效的能量转换。由于其高耐压和大电流处理能力，它也被广泛应用于电机控制、电动工具和电池管理系统中，例如在电动自行车、储能系统和不间断电源（UPS）中作为主开关元件。
　　在汽车电子领域，WSD40P10DN56可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块中的功率开关，其宽工作温度范围确保了在高温环境下仍能稳定运行。此外，在工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的继电器替代，提高系统的响应速度和可靠性。

TKA40P100NH, IPD40P10N3 G, SiR142DP-T1-GE3