时间：2025/11/14 9:14:49
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CL32A226KPJNFNE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C系列，具有高电容值和高可靠性，适用于各种高性能电子设备。CL32A226KPJNFNE的封装尺寸为1210（3225公制），额定电容为22μF，额定电压为6.3V DC，电容容差为±10%。该电容器采用X5R陶瓷介质，具有良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C的温度范围内，电容变化不超过±15%。CL32A226KPJNFNE广泛应用于去耦、滤波、旁路和储能等电路中，尤其适合空间受限但需要高电容密度的应用场景。
型号：CL32A226KPJNFNE
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：1210（3225公制）
电容：22μF
额定电压：6.3V DC
电容容差：±10%
介质材料：X5R
温度范围：-55°C 至 +85°C
电容温度特性：±15%（在温度范围内）
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
安装类型：表面贴装（SMD）
产品等级：工业级
CL32A226KPJNFNE采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部由多个陶瓷介质层与金属电极交替堆叠而成，从而实现高电容密度。其1210封装在有限的空间内提供了较大的电容量，适用于对空间敏感的高密度PCB设计。该电容器使用X5R类陶瓷介质，具备较好的介电性能，在宽温度范围内保持稳定的电容值，特别适合用于电源去耦和中频滤波应用。X5R材料在温度变化时不会发生铁电相变，因此相比Y5V等材料，具有更小的电容漂移和更低的信号失真。此外，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提高电源系统的响应速度并减少高频噪声。
CL32A226KPJNFNE符合RoHS环保标准，无铅且兼容现代回流焊工艺。其端电极通常采用镍阻挡层和锡涂层结构，确保良好的可焊性和长期可靠性。在实际应用中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入/输出滤波、微处理器的电源引脚去耦、模拟电路的旁路以及便携式电子设备中的储能单元。由于其较高的电容值和适中的额定电压，需注意避免施加接近或超过额定电压的直流偏置，以免因电压降额导致有效电容显著下降。此外，在高温环境下使用时也应考虑温度对电容值的影响，并在电路设计中预留足够的裕量以保证系统稳定性。
广泛应用于移动通信设备、消费类电子产品、计算机主板、电源管理模块、DC-DC转换器、便携式医疗设备、工业控制板以及汽车电子中的非动力系统中，主要用于电源去耦、噪声滤波、信号耦合和瞬态电流补偿等场景。
CL32A226MPJNFNE
