时间：2025/5/16 11:57:01
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NVMFS5C442NAFT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沒尔沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种高效能电源管理应用。
该芯片主要应用于需要高频切换及低功耗的场景中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：9.5mΩ
栅极电荷：8.7nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NVMFS5C442NAFT1G 的关键特性包括其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和优秀的开关性能。它采用了先进的 Trench 技术以减少导通损耗，并提高了整体效率。
此外，该 MOSFET 还具备出色的热稳定性和耐雪崩能力，能够承受一定的异常负载情况。
由于其紧凑的封装设计（SOT-23 封装），使得该元件非常适合用于空间受限的应用场合。
该 MOSFET 广泛应用于消费电子领域，如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
在工业控制方面，它可以作为开关元件用于电机驱动和 LED 驱动电路。
同时，在汽车电子系统中，该器件也常被用作负载开关或保护电路的一部分。
另外，对于便携式设备而言，这款 MOSFET 的低功耗特点使其成为延长电池寿命的理想选择。
NVMFS5C443NAFT1G, NVMFS5C441NAFT1G
