时间：2025/8/2 5:34:14
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WSD30L30DN 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。这款MOSFET采用高性能的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极电流（Id）：120A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（最大，@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：140W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
WSD30L30DN MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。该器件具有较高的电流承载能力，可在高负载条件下稳定工作。其低栅极电荷（Qg）设计使得开关速度更快，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，WSD30L30DN具备良好的热稳定性，封装设计有助于有效散热，确保在高温环境下仍能维持可靠运行。该MOSFET的封装符合RoHS环保标准，适合现代电子产品对环保材料的要求。器件内部还具备一定的抗静电能力，增强了在实际应用中的稳定性与耐用性。
由于其优异的电气特性和可靠性，WSD30L30DN广泛应用于电源适配器、同步整流、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子等高要求领域。
WSD30L30DN 主要用于各类高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器、负载开关和电池管理系统（BMS）。它也适用于汽车电子中的功率控制单元，如电动工具、电动车充电模块和车载电源系统。此外，该MOSFET在工业自动化设备、服务器电源、通信设备以及高效率电源适配器中也具有广泛应用。
SiR340DP-T1-GE3, IPPB90N03LG, FDD120N30
