类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 6.8mΩ（VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN5x6 或类似高散热性能封装
　　功率耗散（PD）：120W

WSD3050DN 是一款高性能双N沟道MOSFET，具备低导通电阻（RDS(on)）的特点，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，使得在高电流工作条件下仍能保持良好的稳定性和较低的温升。
　　其双MOSFET结构设计使其非常适合用于同步整流电路，例如在DC-DC降压转换器中作为上下桥臂开关，从而显著提高转换效率。此外，WSD3050DN 的高电流承载能力（高达50A）使其能够满足高功率密度电源系统的需求。
　　该器件的封装设计注重散热性能，确保在高功率操作时仍能保持良好的热稳定性。此外，其栅极驱动电压兼容广泛的标准MOSFET驱动电路（±20V），便于集成到各类功率电路中。
　　WSD3050DN 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行，适用于工业控制、电源适配器、电池管理系统（BMS）、马达驱动器等多种应用场景。

WSD3050DN 主要应用于需要高效功率转换和高电流能力的电子系统中。其主要应用场景包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、马达控制模块、H桥驱动电路、电源管理系统（如笔记本电脑、服务器电源模块）、电池充放电管理电路等。
　　在电源管理应用中，WSD3050DN 可用于高效率降压（Buck）或升压（Boost）转换器，显著降低导通损耗并提升系统整体效率。在马达控制领域，该器件的高电流承载能力和低导通电阻可有效减少发热，提高控制精度和系统稳定性。
　　由于其双MOSFET结构和优异的热性能，WSD3050DN 在需要高可靠性的工业控制设备、电动工具、无人机动力系统等应用中也表现出色。

SiR344DP-T1-GE3, TPS62130A-Q1, AO4406A, IPD9N06S11N3