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WEDPN16M64V-133B2M 发布时间 时间:2025/8/21 5:44:52 查看 阅读:3

WEDPN16M64V-133B2M 是一款高性能的静态随机存取存储器(SRAM)模块,通常用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。该SRAM模块具备较大的存储容量和较高的工作频率,适用于工业控制、通信设备以及高端嵌入式系统等对性能和稳定性有较高要求的领域。该模块采用先进的半导体制造工艺,确保了其在高负载和复杂环境下的可靠运行。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:x64
  工作电压:2.3V至3.6V
  最大访问时间:133MHz
  封装类型:BGA
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口
  功耗:低功耗设计
  数据保持电压:1.5V

特性

WEDPN16M64V-133B2M 的核心特性包括高速访问能力、低延迟以及卓越的稳定性。该SRAM模块的工作频率高达133MHz,使其能够在高速数据处理任务中提供优异的性能。其x64的数据组织方式允许同时传输大量数据,提高了数据吞吐量。
  该模块的工作电压范围为2.3V至3.6V,具有广泛的电源兼容性,同时也支持数据保持电压低至1.5V,确保在低功耗模式下仍能保持数据完整性。采用BGA(球栅阵列)封装,提供了良好的电气性能和散热性能,适用于高密度电路板设计。
  此外,WEDPN16M64V-133B2M 符合工业级温度标准,能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适合在极端环境条件下使用。其并行接口设计简化了与主控芯片的连接,降低了系统设计的复杂度。模块整体采用低功耗设计,有助于延长设备的续航时间并减少热量产生。

应用

WEDPN16M64V-133B2M 主要应用于需要高速数据存储和访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、测试仪器以及航空航天等高端领域。例如,在通信设备中,该SRAM模块可用于缓存高速传输的数据流,确保数据的实时处理;在工业控制系统中,它可用于存储关键控制参数和运行时数据,确保系统的稳定运行。
  由于其宽电压设计和工业级温度耐受能力,WEDPN16M64V-133B2M 也非常适合在恶劣环境下的应用,如户外监控设备、车载控制系统以及自动化生产线设备。此外,在需要高可靠性和高性能的数据采集系统中,该模块也能发挥重要作用,确保数据的快速读写和长期保存。

替代型号

IS61WV10248BLL-10BLI、CY7C1513AV18-133BZC、IDT71V416S133BQI、AS7C34098A-133BC、ISSI IS64WV256A、SRAM模块如IDT71V413S133BQI、Cypress CY7C1515V18-133BZC等

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