时间：2025/8/21 6:35:30
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WS57C291C-35T是一款由Winbond公司制造的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于高速、低功耗的DRAM器件，通常用于需要高性能存储解决方案的电子设备中，如计算机、通信设备和工业控制系统。WS57C291C-35T采用异步设计，提供高速数据访问能力，适用于需要快速数据处理的场景。
类型：DRAM
容量：256K x 4位
封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
频率：35 ns访问时间
工作电压：5V
接口类型：异步
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
WS57C291C-35T是一款高性能的DRAM芯片，具有较高的速度和可靠性。其35 ns的访问时间使其适用于需要快速数据存取的应用场景。芯片采用低功耗设计，有助于在高密度应用中减少热量产生并提高能效。此外，该器件采用TSOP封装，具有较小的封装体积，适合在空间受限的PCB布局中使用。
该DRAM芯片支持异步操作，允许与不同类型的控制器配合使用，而不必严格遵循时钟同步。这种灵活性使其适用于多种嵌入式系统和传统计算机系统。其256K x 4位的存储结构提供足够的容量，用于中等规模的数据缓存或主存应用，并且其5V供电要求使其兼容多种传统系统设计。
此外，WS57C291C-35T具备良好的抗干扰能力和稳定性，适合在工业环境中运行。其宽温度范围（-40°C至+85°C）确保在各种环境条件下都能可靠工作，从而提高了其在工业自动化、通信设备和网络硬件中的适用性。
WS57C291C-35T广泛应用于各种嵌入式系统和工业控制设备中，如通信模块、工业计算机、网络路由器和交换机、视频采集设备以及测试测量仪器。由于其高速存取能力和低功耗特性，它也常用于需要临时数据存储和快速访问的场合，如缓冲存储器、帧缓存器和数据队列管理。
IS61C256AH-10BLLI-TR, CY7C199-10PC, HM628512FP-70
