WS57C291B-45T 时间：2025/8/21 2:09:30 阅读：9

WS57C291B-45T是一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Winbond公司生产。该芯片具有高速存取时间和低功耗的特点，适用于需要快速数据访问和稳定存储的应用场景。WS57C291B-45T采用CMOS技术制造，提供异步SRAM操作，使其在多种电子设备中都能稳定运行。

参数

类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：3.3V或5V可选
　　最大访问时间：45ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　引脚数：54
　　数据保持电压：1.5V至3.6V
　　电流消耗：典型值为10mA（待机模式下小于10μA）

特性

WS57C291B-45T SRAM芯片具有多项显著特性，使其在各种应用中表现出色。首先，该芯片的高速存取时间为45ns，能够满足高速数据读写的需求，适用于实时系统和高性能嵌入式设备。其CMOS制造工艺不仅降低了功耗，还提高了芯片的抗干扰能力和稳定性。
　　其次，WS57C291B-45T支持3.3V或5V电源电压，具备广泛的电源兼容性，适用于不同电压系统的设计。此外，芯片在待机模式下的电流消耗极低，通常小于10μA，非常适合对功耗敏感的便携式设备。
　　该芯片采用TSOP封装，54引脚设计，符合行业标准封装规范，便于PCB布局和焊接。其工作温度范围包括工业级和商业级选项，适应不同的工作环境。此外，WS57C291B-45T在数据保持模式下支持低至1.5V的电压，确保在系统掉电或低功耗状态下数据不会丢失。
　　最后，该SRAM芯片无内部电池设计，避免了传统SRAM因电池供电而带来的维护问题，提高了系统的可靠性和使用寿命。

应用

WS57C291B-45T广泛应用于各种电子设备和系统中，包括工业控制系统、通信设备、消费类电子产品、医疗仪器和汽车电子系统。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适合用于嵌入式系统中的临时数据存储、缓存、数据缓冲等场景。例如，在通信设备中可用于存储临时通信数据，在工业控制系统中可用作高速缓存以提高系统响应速度，在便携式电子产品中则有助于延长电池续航时间。