时间：2025/6/26 18:33:53
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WS15D3HP是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，非常适合于要求高效能和低功耗的设计场景。
WS15D3HP的主要应用场景包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。其卓越的电气特性和可靠性使其成为众多电子系统中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：72nC
输入电容：1980pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
WS15D3HP具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为3.5mΩ，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，能够承受高达40A的连续漏极电流，确保在高负载下的稳定运行。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和优化的内部结构，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持优异的性能，适用的工作结温范围宽广，从-55℃到+175℃。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
WS15D3HP广泛应用于各种功率电子领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关元件。
3. 汽车电子系统，如电机控制和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 便携式电子设备中的高效电池管理方案。
此外，它还适用于任何需要高效功率转换和控制的场合。
IRF3710, FDP5570N
