PDZVTR30B 时间：2025/12/25 13:42:06 阅读：12

PDZVTR30B是一款由NXP Semiconductors生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于PDZ系列。该器件专为电压参考和稳压应用设计，具有良好的温度稳定性和低动态阻抗特性，适用于需要精确电压控制的电路中。PDZVTR30B采用SOD323封装，是一种小型表面贴装器件，适合高密度PCB布局。其标称齐纳电压为30V，能够在较宽的工作电流范围内保持稳定的电压输出，因此广泛应用于电源管理、信号调理以及保护电路等场景中。该器件符合RoHS标准，并具备可靠的长期稳定性，是工业、消费类电子及通信设备中的常用元件之一。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：SOD323
　　齐纳电压（Vz）：30V @ Iz = 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚数：2
　　反向漏电流（IR）：< 1μA @ VR = 24V
　　动态阻抗（Zzt）：≤ 40Ω @ Iz = 5mA

特性

PDZVTR30B具备优异的电压调节性能，其核心特性之一是在额定测试条件下提供稳定的30V齐纳击穿电压，并且电压容差控制在±5%以内，确保了在精密电路中的可靠性。该器件在5mA的测试电流下表现出较低的动态阻抗（不超过40Ω），这意味着即使负载电流发生波动，输出电压仍能维持相对恒定，从而提高了系统的稳定性。此外，由于采用了先进的半导体制造工艺，PDZVTR30B具有良好的温度系数，在宽温度范围内（-65°C至+150°C）能够保持一致的电气性能，减少了因环境变化引起的误差。
　　该器件的最大功耗为500mW，结合SOD323小尺寸封装，使其在有限空间内实现高效散热成为可能，尤其适用于对体积敏感的应用场合。其低反向漏电流特性（在24V反向电压下小于1μA）有助于降低待机功耗，提升整体能效表现。SOD323封装还支持自动化贴片生产，提高了组装效率并降低了制造成本。PDZVTR30B通过了多项国际认证，符合AEC-Q101等可靠性标准，适用于汽车电子等高要求领域。同时，其材料构成符合RoHS指令，不含铅等有害物质，满足现代绿色电子产品的需求。

应用

PDZVTR30B常用于需要稳定参考电压或过压保护的电路中。典型应用场景包括开关电源中的反馈回路电压基准、DC-DC转换器的稳压单元、模拟电路中的偏置电压源以及信号电平箝位保护。在工业控制系统中，它可用于传感器信号调理模块，防止输入电压过高损坏后续电路。此外，该器件也适用于通信设备中的线路保护，抑制瞬态电压尖峰对敏感组件的影响。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和家用电器中，PDZVTR30B可作为辅助电源轨的稳压元件。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也被广泛应用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统中，用于提供精准的电压参考或实现电压监测功能。